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       在低壓配電網(wǎng)絡(luò)中，運行著大量的感性無功負荷需要進行補償，否則，將使網(wǎng)絡(luò)損耗增加，電壓質(zhì)量惡化。為了提高供用電質(zhì)量，降低線損與節(jié)能，以及充分利用設(shè)備的容量，以自愈式低電壓并聯(lián)電容器為主要元件，接觸器為投切開關(guān)的低壓電容無功補償裝置得到廣泛的應(yīng)用。這些裝置一般是將電容器分為若干組。根據(jù)控制物理量的變化，進行電容器的投切。但是，若無功負荷經(jīng)常波動變化，而裝置又需要將cosφ控制在較高水平時，電容器的投切，往往就比較頻繁，從而可能給電容器造成危害，使其早期損壞。

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三點建議
       1、以接觸器為投切開關(guān)的低壓電容無功補償裝置，不宜頻繁進行電容器的投切。否則， 投切時所產(chǎn)生的過電壓和沖擊電流將對自愈式電容器造成危害，使容量下降，tgδ增大 及絕緣老化加速等，最終使電容器早期損壞。
       2、建議適當(dāng)延長投切時間間隔，實行循環(huán)投切，減少投切次數(shù)，使這滿足GB/12747-1991的有關(guān)要求。
       3、為限制沖擊電流對噴金層與金屬化層接觸質(zhì)量的損害，必須采取相應(yīng)的技術(shù)措施，如串入小電感或采用專用接觸器等，建議將沖擊電流的峰值限制在20In以內(nèi)。

       希拓電氣晶閘管投切模塊(三相)技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應(yīng)時間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。